特色服務(wù)

提供單晶硅變送器OEM貼牌生產(chǎn)，各種外形殼體可選

提供變送器全套大散件

◆1Kpa，4Kpa，40KPa，400Kpa，4Mpa，40Mpa六個標(biāo)準(zhǔn)量程，涵蓋過程控制全壓力范圍。zui小標(biāo)準(zhǔn)量程1Kpa，保證微差壓段*性能。

◆*橋路電阻：10KΩ，有效控制溫度影響和靜壓影響，保證輸出信號超高信噪比，搞好zui低。

◆*的過壓性能

MD系列芯片具有*過壓能力：

1Kpa芯片過壓達(dá)1.5Mpa（1500倍過壓）

4Kpa芯片過壓達(dá)2.5Mpa（625倍過壓）

絕大部分微差壓應(yīng)用可實現(xiàn)無中心膜片結(jié)構(gòu)，提高整理準(zhǔn)確度與靜壓特性，同時簡化傳感器結(jié)構(gòu)、降低成本、讓利于用戶。

◆芯片單晶硅層厚度達(dá)2.5mm

在硅芯片技術(shù)中，硅片的尺寸與有效硅層的厚度將對芯片的成本和性能起到很關(guān)鍵的作用。而且統(tǒng)一的傳感器芯片材質(zhì)，將更好的實現(xiàn)溫度特性，讓芯片的溫度變化時，應(yīng)力特性*。采用全單晶硅材質(zhì)，尺寸與厚度都為行業(yè)內(nèi)zui大，不惜成本，注重品質(zhì)。

◆芯片惠斯通電電橋與引線布局，采用梅花鏡像對稱布局。全對稱布局、均衡受力、減小噪聲來源，同時也方便一次封裝，提高穩(wěn)定性與*性。

◆超低溫度誤差

1、30℃→135℃→30℃（42h）：

zui大輸出信號偏差僅為：-0.07uV/V

2、30℃→-40℃→30℃（42h）：

zui大輸出信號偏差僅為：-0.02uV/V

溫度影響：優(yōu)于0.05%/K

靜壓特性：＜0.03%FS/100bar

*穩(wěn)定性：＜0.03%FS/100year