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詳細摘要： 主要特點此設備具有兩個獨立的溫場，溫場之外配有磁力拉桿和石英料舟，并配有內探熱電偶，可實現在實驗過程中將固態(tài)源（如硫粉、硒粉等）推進熱場，并同時可檢測溫度

詳細摘要： 低真空CVD系統（BTF-1200C-III-SL-4ZL）

詳細摘要： 設備特點此款CVD系統是由多通道高精度的質量流量計、低真空機組以及1500度高溫管式爐組成

詳細摘要： 主要特點該款設備由我公司和新疆理化技術研究所共同研制的高真空自動循環(huán)設備，內外雙熱電偶控制，內熱電偶制動，使用者可以設定設備循環(huán)溫度點，可根據內熱電偶測得的溫度...

詳細摘要： 主要特點復合氧化物氫分離膜制備用CVD設備，可以實現在多孔氧化鋁陶瓷管和陶瓷片上化學沉積上氧化物（SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2）和復合氧化物（Al2...

詳細摘要： 設備簡介：流化床—化學氣相沉積法可控及批量制備碳納米管設備，該設備包括有：自動加液裝置、超聲波霧化發(fā)生裝置、氣體供應裝置、氣體流量控制裝置、三溫區(qū)流化床反應器及...

詳細摘要： 主要特點1.此款設備提供兩個獨立滑動的溫場，兩溫場獨立控制，每個溫場的加熱區(qū)的長度為230mm，可在實驗過程中推進或推離樣品，提供兩個位置的快升降溫

詳細摘要： 設備特點此款CVD系統前端配有可加熱到400℃的預加熱器，輔助二維材料蒸發(fā)，后端為雙溫區(qū)管式爐，溫度控制精確，操作簡便

詳細摘要： 主要特點該設備是由1200度開啟式管式爐、精密的質量流量控制系和真空系統所組成

詳細摘要： 主要特點爐體采用硅鉬棒加熱Z高溫度可至1650℃，高真空系統采用進口分子泵機組，一鍵操作，簡潔方便，無噪音，同時配高精度的質量流量計系統

詳細摘要： 設備特點此款CVD系統是由1200℃開啟式迷你真空管式爐、氣路系統和低真空機組組成

詳細摘要： 設備特點此款1700℃高溫CVD系統，是由1700度管式爐、三路質量流量計系統以及國產高真空系統（或選配低真空系統）所組成

詳細摘要： 設備特點此套設備是由1200℃雙溫區(qū)開啟式管式爐、三路質量流量計及低真空系統組成，根據工藝要求亦可選配高真空系統

詳細摘要： 設備特點此款設備是專為生長石墨烯研制的石墨烯薄膜生長專用爐，也同樣適用于要求升降溫速度比較快的CVD實驗，溫區(qū)可獨立程序控制，設備操作時可將實驗需要的恒定高溫直...

詳細摘要： 1、主要特點該設備爐管可360°旋轉，有助于粉料的燒結更均勻，可大角度傾斜，方便進出料，傾斜角度在0-35°之間