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化學氣相沉積CVD

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  • 型號 MPCNT & MPCNT-Premium
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更新時間:2021-07-26 13:11:29瀏覽次數:636

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產品簡介

簡介MPCNT化學氣相沉積CVD是使用乙醇作為碳源的微型、簡化碳納米管(CNT)合成系統

詳細介紹

簡介

MPCNT化學氣相沉積CVD 是使用乙醇作為碳源的微型、簡化碳納米管(CNT)合成系統。乙醇是用于生產碳納米管CNT的非常方便的材料。它不需要像甲烷或乙炔氣這樣的可燃氣瓶,并且允許在任何地方進行 碳納米管CNT合成實驗。

MPCNT化學氣相沉積CVD系統不需要使用還原氣(氫氣)來還原催化劑,因為乙醇還具有很強的金屬還原作用。 由于合金中的Ni,Fe或Co催化元素作為催化顆粒被隔離,乙醇的還原作用使CNT可以直接在NiCu,SUS等合金材料上生長,而無需沉積催化劑薄膜。

使用MPCNT化學氣相沉積CVD系統,可以在各種類型的基板(例如硅,石英,不銹鋼,金屬和陶瓷)上生長高度結晶、垂直排列的碳納米管CNT。設備的外形尺寸與個人計算機一樣緊湊。操作簡單,整個過程僅需20至30分鐘。透明的玻璃室可以直接觀察碳納米管CNT的生長過程。該系統適用于大學實驗室的碳納米管CNT合成實驗。

*注意:在碳納米管CNT生長之前,應在基材上沉積一層薄的催化劑膜。如果客戶沒有催化膜形成系統(例如真空沉積設備或濺射系統),建議使用我們的MPCNT-Premium化學氣相沉積CVD 系統,它是一個完整的系統,涵蓋了從催化劑形成到碳納米管CNT生長或功能強大的一系列過程真空沉積設備MPVAP。我們也提供具有催化膜的基材(消耗品)。

MPCNT-Basic的主要部件

臺式化學氣相沉積CVD系統的基本模型旨在讓研究人員僅使用乙醇液體(不使用任何烴類氣體)作為碳源,在襯底(硅、石英、金屬、陶瓷)上生長垂直排列的碳納米管CNT,從而獲得高度結晶的碳納米管CNT。 臺式化學氣相沉積CVD系統可以安裝在任何地方,即使在無法儲存氫氣(例如C2H2或C2H4)的實驗室中。

硅襯底上垂直排列的CNT

特征          

  • 配備乙醇注入裝置,不需要易燃的烴類氣體
  • 碳納米管CNT生長僅需幾分鐘,整個操作過程不到30分鐘
  • 結構緊湊、操作簡單、高質量的碳納米管CNT

技術參數

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